氧化硅抛光液 氧化硅抛光液（CMP抛光液）是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。 广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

氧化铝和碳化硅抛光液 是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。 主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。

半导体行业 CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

研磨液的添加量是根据水质和产生切削屑来决定的，水质硬切削量多，则研磨液的添加量应多些。由于离心式研磨机在相同的时间内切屑量多，所以研磨液的添加量应多些。研磨液少量滴入滚筒内被水搅匀后，在光整时会粘附在零件与磨料的表面，对金属表面氧化膜的化学作用，使其软化，易于从表面研磨除去，以提高研磨效率。